韩股深V反转，HBM格局生变，SK海力士称AI存储弱化周期风险，推进海外产能布局

8月31日，韩国KOSPI指数转涨，早盘一度跌超3%。截至发稿，三星电子涨0.10%，SK海力士涨0.36%。

消息面上，SK海力士（SKHY.US）正研究在日本建立生产存储芯片合资企业的可行性，这是其为满足AI需求激增且控制生产成本的考虑方案之一。SK集团董事长崔泰源表示，正考虑日本多地作为共同营运工厂的可能选址，要求电力和水资源充足，但拒透露潜在合作伙伴及具体选址。

据悉，SK海力士正筹划在日本东北部宫城县建设大型存储芯片生产工厂，投资规模或达数百亿美元。若落实，这将是韩国半导体企业首次在日本大规模投资设立生产基地。

为满足AI带来的海量数据存储需求，SK海力士正积极扩产，计划在国内投资54万亿韩元扩建芯片制造设施，并探索海外扩张，上周已为美国印第安纳州芯片封装厂举行动工仪式。

SK海力士CEO郭鲁正在记者会上表示，“我们预计当前的市场情况将一直延续至2030年底。目前，我们没有看到任何预示市场将进入下行周期的明确信号。”

郭鲁正还指出，即便未来存储市场迎来下行周期，出现过去那种剧烈下滑的可能性也极低：“在过去的多次下行周期中，存储业务本质上100%属于大宗商品，厂商主要通过扩大产能来进行同质化竞争。但对于HBM而言，客户与半导体厂商共同参与芯片研发，双方必须紧密合作以实现性能最 大化，这使得市场需求更容易预测。”

但值得注意的是，韩国LS证券此前表示，随着高带宽内存（HBM）供应商之间的竞争格局走向正常化，上调三星电子目标价，下调SK海力士目标价。