英伟达调整AI内存路线，降堆叠、提速率，三星成为NVHBM早期核心供应商，研发8层HBM4E

8月31日，据财闻海外资讯，英伟达（NVDA.US）正在推行全新AI内存策略：不再一味追求更高堆叠层数，转而降低堆叠层数、提升传输速率。在此背景下，三星电子成为英伟达定制高带宽内存NVHBM的早期核心合作供应商。

据悉，三星电子正按照英伟达的技术要求，研发第七代产品8层版本HBM4E。该产品堆叠层数低于三星原本规划的12层、16层方案。英伟达对三星提出的速率指标为17‑18Gbps，较三星HBM4E初期样品14.4Gbps的速率提升约20%。这款内存将用于NVHBM，适配英伟达前一日刚刚对外公布的专有技术标准NVLink。

8层设计颠覆了过往HBM行业的竞争逻辑。过去HBM依靠增加堆叠层数提升容量，从4层迭代至8层、再到12层。堆叠层数越高，DRAM芯片需要打磨得更薄，堆叠工艺精度要求随之抬升，后端工艺难度加大，良率压力显著增加。反观8层方案，能够降低制造难度，更容易实现大规模供货。外界解读，这是英伟达用来破解内存供给短缺的一项策略。

英伟达选择把技术重心放在提升传输速率上。NVHBM大概率将率先应用于明年发布的下一代AIGPURubinUltra。RubinUltra可将GPU之间互联规模扩大8倍，互联通道从72条最高拓展至576条。技术思路为：虽然单颗GPU内存容量因为HBM堆叠层数下降有所减少，但通过数百片搭载高速HBM的GPU互连组网，依然能够拉高整体算力。

在定制化HBM赛道，三星相比SK海力士（SKHY.US）和美光科技（MU.US）更具竞争优势。NVHBM除DRAM芯片以外，还需要具备逻辑基底芯片的设计制造能力，三星同时掌握两类技术，可实现全流程一站式交付。

一位业内人士表示：“三星已经凭借HBM4证明行业顶尖的速率性能，在速率竞赛而非高堆叠竞赛中能够充分发挥自身优势。”