半导体板块集体回升!三星电子正配合英伟达开发8层HBM4E
财闻
2026-08-31 13:39:28
英伟达提出的速度规格为17-18Gbps,较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%,该产品据报将用于NVHBM。
8月31日,A股市场半导体股回升,其中,博通集成(603068.SH)10CM涨停,瑞芯微(603893.SH)此前涨停,炬芯科技(688049.SH)涨超9%,乐鑫科技(688018.SH)涨超7%,泰凌微(688591.SH)、晶晨股份(688099.SH)涨超6%,美芯晟(688458.SH)、复旦微电(688385.SH)、灿瑞科技(688061.SH)、敏芯股份(688286.SH)、全志科技(300458.SZ)、艾为电子(688798.SH)、国科微(300672.SZ)、峰昭科技涨超5%。
据韩国媒体报道,三星电子正配合英伟达(NVDA.US)要求开发8层第七代高带宽存储器(HBM4E),较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度,英伟达提出的速度规格为17-18Gbps,较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%,该产品据报将用于NVHBM。

