三星为英伟达开发8层HBM4E，韩股深V翻红

8月31日午后，韩国KOSPI指数转涨，早盘一度跌超3%。三星电子、SK海力士双双反弹翻红。此前早盘，韩国两大存储芯片巨头下跌，SK海力士、三星电子均跌逾4%。

消息面上，财闻海外资讯援引首尔经济日报报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。

据报道，韩国交易所数据显示，自7月31日单一股票杠杆及反向产品最低保证金由1000万韩元提高至3000万韩元后，截至8月28日，韩国个人投资者累计净卖出三星电子和SK海力士相关的16只单一股票杠杆及反向产品1.773万亿韩元。相比之下，自上述产品5月27日上市至7月30日，个人投资者曾累计净买入1.529万亿韩元。

对比两个阶段交易数据：上述16只产品在上市至7月30日的日均成交额为11.679万亿韩元，7月31日新规落地后至8月28日，日均成交额降至9580亿韩元，降幅约91.8%；个人投资者成交占比则由34.5%降至27.1%。

上周五，韩股两大存储芯片巨头SK海力士、三星电子均走弱。SK海力士收跌4.43%，上周累计下跌4.43%；三星电子收跌3.38%，上周累计跌8.7%。