2nm战局再添变量：Intel18A芯片亮相苏州，代工路线图如期推进

财闻 李向磊 发自苏州

9月22日，2026英特尔技术创新与产业生态大会在苏州召开。大会上，英特尔（INTC.US）首席营销与传播官Annie Shea Weckesser表示，人工智能正在推动各类产品对更强计算能力和更高能效提出更大需求。

制程技术是满足人工智能发展需求的关键。在本次大会的科技与应用成果展区展出的Intel 18A制程工艺晶圆目前已经进入量产阶段，其高性能版本18A-P也已进入风险试产阶段。

18A代表18埃米（注：1纳米等于10埃米，18埃米即1.8纳米），代表了英特尔在先进制程领域的重大突破，正在为下一代英特尔产品打造技术基础，并在代工领域与台积电N2、三星SF2展开竞争。

在展区，英特尔技术人员告诉财闻，18A有两项关键性创新：Ribbon FET全环绕栅极晶体管和Power Via背面供电技术。前者提供了短沟道效应的控制，支持晶体管在Fin FET之后的持续缩放，同时通过不同排线宽度和多种阈值电压选项实现灵活优化；后者将电源线移至晶圆背面，并在每个标准单元内嵌入纳米级硅通孔，提供功效、节约空间、改善信号完整性。

“对比Intel 3芯片，18A同等功耗下性能提升18%以上，而同等性能下功耗降低38%。”展区技术人员进一步表示，18A-P作为18A首个性能增强版，在性能、功耗和设计方面均有所提升，比如热阻降低20%—40%，同时新增Power Boost技术，实现了更高的运行频率。

值得注意的是，英特尔还为复杂先进工作负载打造了18A-PT，提供卓越的扩展性和集成能力。英特尔还推出了专为3D封装产品优化的Intel 18A-PT工艺，通过增强的硅通孔能力，帮助AI和HPC客户实现更高密度的堆叠集成。

另据英特尔的规划，其下一代制程节点Intel 14A预计将于2027年下半年面向内部进行风险试产。率先于内部产品进行风险试产，有助于英特尔不断优化该工艺，从而为将来的代工客户提供更优质的服务。此前，英特尔首席财务官David Zisner也曾表示，14A工艺的发展态势优于公司预设目标曲线，该工艺缺陷密度的下降速度优于近年其它节点，显示其进展颇为顺利。

据了解，在应用方面，英特尔已与微软（MSFT.US）就18A制程展开合作，亚马逊（AMZN.US）AWS也将采用英特尔生产AI芯片。此外，据传苹果（AAPL.US）也被报道与英特尔达成初步代工协议，英伟达（NVDA.US）、博通（AVGO.US）、AMD等公司同样在测试或评估18A芯片。在台积电先进产能持续吃紧的背景下，越来越多的芯片公司正在寻求供应链多元化，英特尔如期推进制程路线图，实现性能和能效比的不断提升，或将让其代工业务迎来新的窗口期。