英飞凌推出AI加速器双相功率芯片，支持 VPD 垂直供电架构

9月29日，据财闻海外资讯，英飞凌发布面向AI加速器的双相智能功率级芯片TDA235E5、TDA235E0，应对AI半导体功耗激增及狭小空间大电流输出需求。功率级是将服务器输入电压转换成AI加速器所需低压的器件。

新品将OptiMOS™6 MOSFET与驱动电路集成于6×6×0.8mm封装内，单封装内集成两路功率变换电路，采用双相架构。新品功率密度超2A/mm²，最大峰值电流300A，总设计电流TDC为120A，亦可用于数据中心服务器CPU。除处理器侧边供电的水平架构外，新品同时支持VPD垂直供电架构，该架构将电源器件布置于处理器正下方，缩短供电路径并降低功率损耗，顺应行业向VPD架构迁移趋势。芯片热路径经优化，热量可从封装顶面高效散出，便于搭配水冷散热系统。

英飞凌电源IC事业部副总裁拉凯什・伦加纳坦表示，新品具备优异功率密度、散热性能与设计灵活性，助研发人员加速产品开发。目前两款芯片已向客户提供工程样品。