Groq拟在下一代芯片采用3D堆叠DRAM

10月21日，据财闻海外资讯，已被英伟达（NVDA.US）实质收购的AI半导体企业Groq，正计划在下一代芯片采用DRAM三维堆叠封装技术，以DRAM替代传统SRAM，旨在大幅提升芯片存储容量。

据悉，Groq准备采用的方案为3DS（3D Stacked Memory，3D堆叠内存）。该方案利用硅通孔TSV垂直互连DRAM芯片，虽与HBM同样使用TSV技术，但HBM重点追求数据传输速率，而3DS保留原有DRAM接口，将重心放在扩容上面。

半导体业内人士证实，Groq计划在下一代芯片导入3D封装，采用堆叠DRAM而非传统SRAM。行业普遍认为，SRAM读取速度优异但容量有限，DRAM速度相对逊色却更适合实现大容量设计。市场正向着更大芯片方向演进，Groq因此选择在容量层面具备优势的DRAM。

Groq 是 2016 年由谷歌 TPU（张量处理单元）核心设计师乔纳森・罗斯创立的 AI 半导体初创公司，已于去年被英伟达间接收购。