SK海力士V10 NAND采用375层堆叠设计 2026年内量产
财闻
2026-06-11 09:35:20
该企业新的V10 NAND已完成生产验证,正准备量产转移,目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。
6月11日,财闻海外资讯,SK海力士现有V9 321L后的下一代3D NAND闪存将采用375层堆叠设计。该企业新的V10 NAND已完成生产验证,正准备量产转移,目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。

