薄膜铌酸锂光芯片加速量产，去年光芯片相关企业注册创新高

近日，被誉为“光学硅”的新材料薄膜铌酸锂，备受业内追捧。据上海证券报，当前，AI大模型拉动算力需求井喷，各地数据中心内部光互联正面临带宽、功耗、成本的三重挑战。有业内人士表示，薄膜铌酸锂的出现有望打破光互联这一算力瓶颈。薄膜铌酸锂本质上是对传统铌酸锂材料的“芯片化改造”。传统铌酸锂虽然具备优异的线性电光效应、低光学损耗和高稳定性，但自身材料难以小型化和集成化。薄膜化之后，它在保留高速、低损耗、高线性度的同时，大幅提升了器件集成度和工艺一致性，能够支持800G、1.6T乃至3.2T的光模块需求，利好光芯片行业整体发展。

企查查数据显示，截至6月17日，国内现存光芯片相关企业23.44万家。注册量方面，2025年全年注册相关企业5.11万家，同比增长22.79%，创近十年注册量新高。截至目前，今年已注册1.98万家光芯片相关企业。存量方面，从经营时间来看，成立年限在1-3年的光芯片相关企业最多，占比31.17%。从地区分布来看，区域分布高度集中，产业集群效应显著。华东地区企业存量占比36.08%，华南地区企业占比21.24%紧随其后。