机构:AI算力催生HBM带动测试机新需求,国产设备商加速突破
外龙头已陆续实现HBM4量产,国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。
7月2日,东吴证券(601555.SH)在存储测试机专题研报中指出,AI算力催生HBM带动测试机新需求,国产设备商加速突破。
存储持续涨价&两存上市在即,看好存储未来扩产持续性。自2024年底以来,在AI算力需求拉动下,DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道,DDR4(8Gb)2024年底到2026年6月涨幅超17倍,DDR5(16Gb)2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年营收618亿元,2026Q1营收同比+719%,产能利用率长期维持90%以上,资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著,后续扩产空间广阔。
AI算力催生HBM需求,HBM成为AI芯片主流方案。AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍,Trendforce预计2026年达275万台。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术,在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士(占据市场份额58.3%)、三星和美光占据,海外龙头已陆续实现HBM4量产,国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。
HBM堆叠对测试机提出KGSD等新需求,存储测试机需求量价齐升。 HBM采用3D堆叠架构,测试重心前移至KGSD测试环节,测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上,存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍。HBM对测试设备在供电能力、时序精度、高并行测试能力及测试算法等方面均提出更高要求。
存储测试机国产化率极低,国产替代空间广阔。存储测试机市场2025年由爱德万(占据市场份额61%)和泰瑞达(TER.US)(占据市场份额24%)主导,国内国产化率仅8-10%,显著低于其他测试设备细分赛道,是半导体设备自主可控的重要短板。地缘政治环境复杂化背景下,国产替代逻辑强化,国内厂商正加速布局。
投资建议:重点推荐国内存储测试机领先布局厂商,重点推荐长川科技(300604.SZ)、建议关注精智达(688627.SH)、联讯仪器(688808.SH)、悦芯科技(未上市)。
风险提示:封测设备需求不及预期、技术研发不及预期、行业竞争加剧。

