露笑科技碳化硅大尺寸技术突围国产替代驶入快车道

4月28日，露笑科技发布2025年年度报告。报告期内，公司实现营业收入36.72亿元，归母净利润2.12亿元；公司扣非净利润2.74亿元，同比增长21.38%，经营质量稳步提升。作为公司战略核心业务，碳化硅业务在2025年实现大尺寸衬底技术、国产化率、产能落地三重突破，叠加全球碳化硅行业规模化爆发的行业红利，公司在第三代半导体赛道的竞争壁垒持续加固。

碳化硅作为第三代半导体的核心材料，凭借高禁带宽度、高热导率、高电导率等特性，成为新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等领域的关键底层材料，行业正处于技术迭代与需求爆发的双重窗口期。露笑科技年报显示，公司已在碳化硅衬底领域完成从技术研发到规模化量产的关键跨越。报告期内，公司在8英寸导电型及半绝缘型晶体生长技术上取得核心突破，晶体良率大幅提升，关键缺陷指标优化至业内第一梯队水平，其中BPD<300个/cm²、TSD<30个/cm²、TED<1500个/cm²，产品品质达到行业主流标准。

在半绝缘型产品领域，公司在6英寸技术基础上完善8英寸生长工艺，掌握高纯粉料合成、晶体生长等核心技术，相关样品已送国内头部客户验证。更具里程碑意义的是，2026年初公司成功研发12英寸碳化硅衬底，完成大尺寸技术的前瞻性布局，为下一代产品竞争抢占先机。成本控制方面，公司实现晶体生长环节90%原材料国产化、晶片加工环节100%原材料国产化，依托合肥基地200余台长晶炉的成熟产能，顺利完成6英寸向8英寸的技术转化，为规模化降本与市场供货奠定基础。

从行业维度看，2025年全球碳化硅衬底行业全面迈入规模化爆发期，需求端呈现多场景驱动、高增长确定的格局。国际咨询机构YoleGroup预测，2030年全球碳化硅功率器件市场规模将达到103亿美元，2024—2030年复合增长率超20%。新能源汽车800V高压平台普及、AI算力基础设施扩容、光伏储能效率升级、AR光波导等新兴应用落地，成为行业增长的核心引擎。其中，新能源汽车领域仍占需求主导，800V平台车型渗透率快速提升，单台车碳化硅价值量持续增长；AI数据中心则凭借高效节能需求，成为碳化硅器件的第二增长曲线。

技术迭代与国产替代成为行业两大核心趋势。2025年被视为全球碳化硅行业的“8英寸冲刺年”，大尺寸衬底可有效降低单位成本、提升生产效率，成为企业竞争的核心赛道。数据显示，国内头部企业8英寸碳化硅衬底全球市占率已突破50%，打破海外厂商长期垄断格局；中国第三代半导体市场规模同比增长32%，产业链本土化率突破60%，政策与市场双重驱动下，国产替代进程持续提速。露笑科技凭借8英寸量产能力、12英寸技术储备及全链条国产化优势，精准契合行业发展趋势，有望在国产替代浪潮中占据更大市场份额。

业务协同与研发投入，为露笑科技碳化硅业务的持续突破提供坚实支撑。公司形成碳化硅、漆包线、登高机、光伏发电四大业务板块协同发展的格局，漆包线业务2025年实现营收21.14亿元，光伏发电业务营收7.06亿元，两大板块贡献稳定现金流与利润，为碳化硅业务的研发与产能扩张提供资金保障。研发层面，公司2025年研发投入1.01亿元，围绕8英寸SiC长晶工艺、晶体加工、湿法刻蚀等核心环节布局研发项目，多项技术进入中试或量产阶段，形成“研发－量产－迭代”的良性循环。

同时，公司在碳化硅领域的自主研发能力持续强化，已完成自主知识产权长晶炉开发，优化温场设计与籽晶固定技术，进一步降低晶体缺陷、提升生长稳定性。截至报告期末，公司碳化硅产品已实现批量稳定生产，随着客户验证推进与产能释放，业务盈利潜力将逐步释放。

在半导体产业，尺寸即效率，尺寸即成本，尺寸即战略制高点。12英寸产线，将较6英寸单片芯片数提升4.4倍、较8英寸提升2.3倍，显著降低单位芯片成本。从未来发展看，碳化硅行业将持续向大尺寸、低缺陷、高纯度、定制化方向升级，12英寸衬底的工艺优化与商业化落地，将成为下一阶段行业竞争的焦点。

露笑科技已完成12英寸衬底的技术突破，后续将推进工艺优化与客户验证，巩固大尺寸技术优势。与此同时，公司依托合肥基地的成熟产能，持续推进8英寸衬底的批量供货，深度绑定新能源、AI、光储等领域头部客户，打开长期成长空间。

整体而言，2025年露笑科技在经营稳健的基础上，实现碳化硅业务的关键技术与产能突破，精准卡位第三代半导体行业的高景气赛道。随着全球碳化硅需求持续爆发、国产替代不断深化，公司凭借技术、产能、成本三重优势，有望推动碳化硅业务从战略布局期进入业绩释放期，实现业务结构优化与长期价值提升。

露笑科技表示，公司坚持在碳化硅领域深耕发展，以高性价比、高国产化率的产品助力下游产业链自主可控，为中国的三代半导体事业添砖加瓦。